當(dāng)前位置: 首頁 > 能源互聯(lián)網(wǎng) > 產(chǎn)經(jīng)信息

工智能對高算力芯片需求增加 先進封裝滲透率快速提升

財聯(lián)社發(fā)布時間:2024-02-21 10:29:44

  據(jù)媒體報道,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示,臺積電不僅現(xiàn)有制程產(chǎn)能利用率全面回升外,2納米進度亦優(yōu)于預(yù)期,首季除了8寸產(chǎn)能利用率緩步回升外,臺積電的12寸產(chǎn)利用率更是到八成以上,尤其是5/4納米制程維持滿載。

  摩根士丹利基金權(quán)益投資部雷志勇表示,人工智能核心是對高算力芯片需求的提升,高算力芯片的核心技術(shù)變化體現(xiàn)在更先進的半導(dǎo)體工藝制程和先進封裝;先進制程產(chǎn)能當(dāng)前供不應(yīng)求,先進封裝滲透率有望跟隨AI算力芯片需求爆發(fā)而保持高增速,同時端側(cè)計算芯片先進封裝滲透率也在快速提升。根據(jù)摩根士丹利測算,全球CoWoS產(chǎn)能2023年預(yù)計達到1.4萬片/月,2024年預(yù)計達到3.2萬片/月。開源證券表示,先進封裝部分核心工藝環(huán)節(jié),包括凸塊、RDL以及TSV等工藝將使用光刻、刻蝕、電鍍、CMP、沉積等多種前道設(shè)備;原有的后道封裝設(shè)備包括固晶機、切片機等隨著技術(shù)迭代,產(chǎn)品需進行改進和優(yōu)化。


評論

用戶名:   匿名發(fā)表  
密碼:  
驗證碼:
         
最新評論0