本文分析了HJT、TOPCon、IBC三種光伏電池技術(shù)路線的競爭力，以及新電池技術(shù)會(huì)帶來怎樣的產(chǎn)業(yè)鏈變化，并總結(jié)出技術(shù)變革期的投資思路。
核心結(jié)論為：短期TOPCon與P型IBC具有優(yōu)勢，中期TOPCon、HJT、IBC或?qū)⒐泊?，長期預(yù)計(jì)將往TBC&HBC轉(zhuǎn)型;新技術(shù)變化下，較看好設(shè)備、電池組件、銀漿&銀粉。
1)三大電池新技術(shù)未來的競爭力如何判斷——效率與成本的平衡
緣起：21年P(guān)ERC量產(chǎn)平均效率23.1%逼近其理論極限24.5%。N型硅片在少子壽命等方面具有天然優(yōu)勢，效率極限更高。
技術(shù)原理：光伏電池核心結(jié)構(gòu)為PN結(jié)和電極，效率損失主要分為光學(xué)和電學(xué)損失，HJT&TOPCon降低電學(xué)損失，IBC降低光學(xué)損失。
效率：IBC(疊加)>TOPCon(雙面)>HJT
TOPCon：實(shí)現(xiàn)了無需開孔的鈍化接觸，未來可升級(jí)POLO結(jié)構(gòu)，雙面TOPCon理論極限可達(dá)28.7%。
HJT：晶體硅/非晶硅異質(zhì)結(jié)形成PN結(jié)，在晶體硅與非晶硅之間鍍制有本征非晶硅鈍化膜，理論極限可達(dá)28.5%。
IBC：電極放在背面減少光照遮擋損失，并且使用隧穿氧化層做電子傳輸，未來可疊加TOPCon或HJT技術(shù)，疊加后效率上限可達(dá)29.1%。
成本：IBC(P型)>TOPCon(單面)>HJT
分路線：TOPCon靠降銀耗、薄片化;HJT靠低溫銀漿國產(chǎn)化、降銀耗、薄片化、設(shè)備降本;IBC靠掩膜工藝優(yōu)化、薄片化、設(shè)備降本。
敏感性分析：效率、良率、CTM每提升1pct，分別可降本14、1、3分，硅片減薄10μ，降本4分，預(yù)計(jì)23年新電池技術(shù)經(jīng)濟(jì)性將全面超越PERC。
量產(chǎn)：TOPCon(單面)>IBC(P型)>HJT
TOPCon：已有29GW在產(chǎn)，22年規(guī)劃超40GW，龍頭量產(chǎn)平均效率24.5%。
HJT：已有5GW在產(chǎn)，22年規(guī)劃超9GW，龍頭量產(chǎn)平均效率24.5%。
IBC：已有0.2GW在產(chǎn)，22年規(guī)劃超8.5GW，龍頭量產(chǎn)平均效率24%。
結(jié)論：短期N型TOPCon與P型IBC或?yàn)檩^具性價(jià)比選擇，中期各路線共存(HJT提效潛力大，其他兩種成本低)，長期或?qū)⑾騎BC&HBC轉(zhuǎn)型。
2)新電池技術(shù)會(huì)帶來怎么樣的產(chǎn)業(yè)鏈變化
①電池
TOPCon：可沿用部分PERC產(chǎn)線，增加隧穿氧化層和摻雜多晶硅層，主要有LP制備多晶硅膜+擴(kuò)散、LP制備多晶硅膜+離子注入、PE制備多晶硅膜+原位摻雜三種方式
HJT：全新產(chǎn)線但工藝流程簡潔，增加本征非晶硅鈍化層和異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu);非晶硅鍍膜技術(shù)有PECVD和CAT-CVD兩種路線，透明導(dǎo)電膜(TCO)鍍制也有PVD和RPD兩種路線;低溫銀漿亟需國產(chǎn)化，HJT對(duì)銀漿需求量大增;TCO鍍膜需求增加，帶動(dòng)靶材需求高增。
IBC：增加背面掩膜、開槽等圖形化處理工藝，可結(jié)合TOPCon、HJT形成效率更高的TBC、HBC電池。
②硅片：
參數(shù)：不同技術(shù)對(duì)硅片性能參數(shù)、厚度要求不一，如TOPCon要相對(duì)(較其他技術(shù))低的電阻率和少子壽命，IBC要高電阻率和少子壽命。
拉晶：石英坩堝&碳碳熱場純度要求提升，單爐耗量增加。
切片：金剛線繼續(xù)向細(xì)線化方向發(fā)展，或有鎢絲替代鋼絲的技術(shù)變革。
③組件：
焊接：
設(shè)備：單面焊接，或采用新的串焊機(jī)。
材料：IBC電極位置變化需降低應(yīng)力，或采用低溫導(dǎo)電膠或?qū)щ姳嘲宓姆庋b方式。
膠膜：N型電池對(duì)阻水性要求高，POE/EPE抗PID性能優(yōu)異，滲透率或提升。
3)技術(shù)變革期的投資思路
投資維度1：短期看業(yè)績釋放順序，設(shè)備>新輔材>電池組件>老輔材。
投資維度2：中期看業(yè)績彈性，設(shè)備>新輔材>電池組件>老輔材。
投資維度3：長期看業(yè)績持續(xù)性，老輔材>組件>設(shè)備>新輔材>電池。
評(píng)論